半導體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價CNAS認可服務(wù)范圍

半導體材料、有機小分子材料、高分子材料、有機/無機雜化材料、無機非金屬材料。

檢測項目

（1）半導體材料元素成分分析：EDS 元素分析，X 射線光電子能譜（XPS）元素分析；

（2）半導體材料分子結(jié)構(gòu)分析：FT-IR 紅外光譜分析，X 射線衍射（XRD）光譜分析，核磁共振波普分析（H1NMR、C13NMR）；

（3）半導體材料微觀形貌分析：雙束聚焦離子束（DB FIB）切片分析，場發(fā)射掃描電鏡（FESEM）微觀形貌量測與觀察，原子力顯微鏡（AFM）表面形貌觀察。

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

半導體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價CNAS認可服務(wù)背景

隨著大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展，芯片制程工藝日趨復雜，半導體材料微結(jié)構(gòu)及成分異常阻礙著芯片良率的提高，為半導體及集成電路新工藝的實施帶來了極大的挑戰(zhàn)。

我們的優(yōu)勢

（1）芯片晶圓級剖面制備及電子學分析，基于聚焦離子束技術(shù)(DB-FIB)，對芯片局部區(qū)域進行精確切割，并實時進行電子學成像，可得到芯片剖面結(jié)構(gòu)，成分等重要工藝信息；

（2）半導體制造相關(guān)材料理化特性分析，包括有機高分子材料、小分子材料、無機非?屬材料的成分分析、分子結(jié)構(gòu)分析等；

（3）半導體物料污染物分析方案的制定與實施。可幫助客戶全面了解污染物的理化特性，包括：化學成分組成分析、成分含量分析、分子結(jié)構(gòu)分析等物理與化學特性分析。